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元件参数资料
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参数目录40378
> BSO615N G MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
型号:
BSO615N G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
BSO615N G PDF
其它图纸
SO-8 Dual
标准包装
2,500
系列
SIPMOS®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫欧 @ 2.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
380pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
PG-DSO-8
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1619 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
BSO615N G-ND
BSO615NGT
BSO615NGXT
BSO615NT
BSO615NXTINTR
BSO615NXTINTR-ND
SP000216316
查看BSO615N G代理商
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